圖1(A)是鑲嵌在聚四氟乙烯中的絲網(wǎng)印刷傳感器。圖1(B)中的校準標志是用尖刀劃的,這樣OSP和SECM都能完全檢測到該形貌。找到十字中心位置后,其他的掃描就有基準了。
圖1 (A)鑲嵌在PTFE中的絲網(wǎng)印刷傳感器;(B)十字校準標志(放大200倍)
3.結(jié)果
1.1OSP測量
M470(或M370)連接OSP傳感器頭,可以檢測漫散射激光,從而測定十字特征位置的形貌。在X軸和Y軸分別重復進行OSP線掃描,每次掃描后通過螺釘調(diào)整樣品水平。經(jīng)過多次掃描,樣品十字區(qū)域調(diào)至水平,足夠進行SECM實驗。調(diào)平前后樣品十字區(qū)域的OSP面掃描結(jié)果如圖3所示。
圖2 樣品調(diào)平前(A)和調(diào)平后(B)的OSP面掃描結(jié)果
十字中心找到后,OSP探針移動到中心位置,基準設為0。移動探針到(x,y)=(0,500) ?m,再次把坐標設為0。再進行一次OSP面掃描,結(jié)果如圖3所示。此形貌用來解除后續(xù)SECM實驗中形貌的影響??梢钥闯觯瑐鞲衅鞅砻嫔?,掃描區(qū)域的底部到頂部有明顯的傾斜或者約20 ?m深的凹陷。
圖3 絲網(wǎng)印刷傳感器表面的OSP結(jié)果(步長10μm)
3.1SECM定位
SECM實驗采用10μm探針,這就對探針的垂直位置的準確性提出更高的要求。如果探針到樣品的距離即使發(fā)生很小尺度的改變,探針也會檢測到正反饋或者負反饋信息,電流將產(chǎn)生明顯變化。
由圖4可見,當探針極為接近電極時(20-30 ?m),發(fā)生負反饋,電流迅速下降。當探針掃過十字區(qū)域時,凸起的十字邊緣使電流更低。圖5為十字區(qū)域的 SECM面掃描結(jié)果。
圖5 圖2中十字區(qū)域的SECM面掃描結(jié)果
與之前OSP頭的操作一樣,SECM探針移到十字中心位置,基準設為0。然后把探針移動到(x, y) = (0, 500) ?m位置,將坐標再設為0。再進行一次逼近曲線,探針極為接近樣品,電流從6 nA降到2.4 nA左右。
1.1解除形貌影響的SECM測量
用圖3中的形貌數(shù)據(jù)再做一個新的SECM面掃描,保持同樣的面積尺寸和步長。測得的表面電導率如圖6所示。
圖6 用高度追蹤技術(shù)的SECM負反饋模式面掃描
圖6中傳感器表面電流保持不變,表明:1)傳感器表面電導率相對均勻;2)整個掃描過程中SECM探針與樣品表面一直保持極為接近。這說明探針按照預期來跟蹤表面信息。
在第二個生物傳感器上進行第二次SECM面掃描,加一個偏置電位,鐵氰化物在傳感器上發(fā)生還原,產(chǎn)生一個小的還原電流(-0.1 V vs. Ag/AgCl)。選擇這個電位區(qū)分傳感器表面的活化位置和惰態(tài)位置。圖7為SECM競爭模式的結(jié)果(偏置電位-0.25 V),低電流區(qū)域說明樣品處于活化態(tài)。
圖7 用高度追蹤技術(shù)的SECM競爭模式面掃描
圖7中,低電流區(qū)域(藍色)為絲網(wǎng)印刷電極的活化區(qū)域。競爭模式比負反饋模式獲得的信息對比更明顯。
1.結(jié)論
在兩個絲網(wǎng)印刷電極樣品上演示了不受形貌影響的SECM測試新方法。M470(或M370)的這個特征允許用戶測試那些用標準恒高SECM技術(shù)無法測量的樣品。
OSP與SECM技術(shù)結(jié)合,測量了形貌變化約20 ?m的絲網(wǎng)印刷碳墨傳感器樣品的0.16mm2的區(qū)域,并保持探針和樣品極為接近。測試了加電位和不加電位的樣品,表明傳感器上的活性位置。測量區(qū)域的電流在450 pA到1.8 nA之間變化。